Prof. Dr. Andrey Osipov

Profil

Derzeitige StellungProfessor W-2 und Äquivalente
FachgebietOberflächenphysik
Keywordssurface science, Quantum dots, nucleation, thin films

Aktuelle Kontaktadresse

LandRussische Föderation
OrtSt. Petersburg
Universität/InstitutionRussian Academy of Sciences
Institut/AbteilungInstitute of Problems of Mechanical Engineering, Laboratory of Phase Transitions in Condensed Matter

Gastgeber*innen während der Förderung

Prof. Dr. Peter HessPhysikalisch-Chemisches Institut, Ruprecht-Karls-Universität Heidelberg, Heidelberg
Beginn der ersten Förderung01.03.2000

Programm(e)

1999Humboldt-Forschungsstipendien-Programm

Publikationen (Auswahl)

2002F.Schmitt, A.V. Osipov, P. Hess: Real-time diagnostics of growth of germanium nanocrystallites on partially hydrogen-terminated silicon surfaces by spectroscopic ellipsometry. In: Applied Surface Science, 2002, 103-109
2002Andrey Osipov, F. Schmitt, S.A. Kukushkin, P. Hess: Stress-driven nucleation of coherent islands: theory and experiment. In: Applied Surface Science, 2002, 156-162
2001A. V. Osipov, S.A. Kukushkin, F. Schmitt, P. Hess: Kinetic model of coherent island formation in the case of self-limiting growth. In: Physical Review B, 2001,